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淺談生產(chǎn)環(huán)境對(duì)某型光電探測(cè)器外觀質(zhì)量的影響-科技論文

作者:鄧敏來(lái)源:《硅谷》日期:2012-08-10人氣:1157

某型光電探測(cè)器是將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)并放大,控制端接收到電信號(hào)后控制導(dǎo)彈飛行方向,從而達(dá)到擊中目標(biāo)的目的。該型光電探測(cè)器在激光制導(dǎo)武器系統(tǒng)中由激光信號(hào)源、激光信號(hào)探測(cè)器構(gòu)成了激光制導(dǎo)回路。在這一回路中,光電探測(cè)器是關(guān)鍵零件之一,它裝在彈的導(dǎo)引頭上,用于接受指示目標(biāo)位置的激光信號(hào),在激光制導(dǎo)炮彈上起著“眼睛”的作用,它的技術(shù)性能直接影響武器系統(tǒng)戰(zhàn)技指標(biāo)的實(shí)現(xiàn)程度。

二、對(duì)產(chǎn)品外觀缺陷分析

由于受生產(chǎn)規(guī)模、生產(chǎn)環(huán)境條件種種因素的制約,該型光電探測(cè)器自生產(chǎn)以來(lái)成品率一直較低,盡管在生產(chǎn)過(guò)程的各個(gè)監(jiān)測(cè)點(diǎn)中已剔除了光電參數(shù)不合格的產(chǎn)品,但在提交軍方檢驗(yàn)后仍發(fā)現(xiàn)了不少外觀質(zhì)量有缺陷的產(chǎn)品,現(xiàn)對(duì)2006年共7批產(chǎn)品外觀合格率統(tǒng)計(jì)分析,統(tǒng)計(jì)結(jié)果見(jiàn)表1:
表12006年7批產(chǎn)品外觀合格率統(tǒng)計(jì)表

三、生產(chǎn)環(huán)境對(duì)產(chǎn)品外觀質(zhì)量的影響

該型探測(cè)器主要是由光敏芯片、前置放大器、殼體組成,其中光敏芯片為最重要的部件,它直接決定了探測(cè)器的主要戰(zhàn)技指標(biāo)。而生產(chǎn)光敏芯片的需要經(jīng)過(guò)30余道工序,例如拋光、氧化、光刻、摻雜、離子注入、蒸發(fā)、沉積、劃片等等,再加上裝配前置放大器及封裝共需50余道工序。各工序?qū)Σ煌墓に嚟h(huán)境都有不同的要求,工藝環(huán)境因素主要包括空氣潔凈度、高純水、溫度、濕度等等。

要控制好各工序的工藝環(huán)境,使生產(chǎn)的光敏芯片的功能正常,就是要避免超凈間中的各種污染。超凈間中的污染主要分為四類:微粒、金屬離子、化學(xué)物質(zhì)、細(xì)菌。這些污染引起器件多種問(wèn)題,比如改變器件的尺寸、改變表面的潔凈度,甚至還會(huì)改變器件性能,從而引起廢品率上升,加大制造成本。如果器件內(nèi)部的污染物能夠移動(dòng),并且最終停留在電性敏感區(qū)域,還會(huì)引起器件失效,這將大大降低器件的可靠性。就環(huán)境中的幾種主要因素進(jìn)行分析。

(一)空氣潔凈度的影響

普通空氣中含有許多污染物,只有經(jīng)過(guò)處理后才能進(jìn)入超凈間。超凈間的潔凈度以單位體積的空氣中最大允許的顆粒數(shù)即粒子計(jì)數(shù)濃度來(lái)衡量。為了和國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)盡快接軌,我國(guó)在根據(jù)IS014644-1的基礎(chǔ)上制定了新的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB50073-2001《潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范》,其中把潔凈室的潔凈度劃分了9個(gè)級(jí)別。在該型光電探測(cè)器的大部分裝配工藝中要求達(dá)到室內(nèi)8級(jí)局部6級(jí),在一些要求更加嚴(yán)格的工藝中則要求達(dá)到局部5級(jí)。在該產(chǎn)品2006年7個(gè)批次中發(fā)現(xiàn)的殼體內(nèi)有雜物的質(zhì)量問(wèn)題大部分是室內(nèi)潔凈度達(dá)不到要求而造成的。

(二)超純水的影響

光敏芯片的生產(chǎn)及封裝,大多數(shù)工序都需要超純水進(jìn)行清洗,晶圓及工件與水直接接觸,在封裝過(guò)程中的減薄工序和劃片工序,更是離不開(kāi)超純水,一方面晶圓在減薄和劃片過(guò)程中的硅粉雜質(zhì)得到洗凈,而另一方面純水中的微量雜質(zhì)又可能使芯片再污染,這毫無(wú)疑問(wèn)將對(duì)封裝后光敏芯片質(zhì)量有著極大的影響。因此要嚴(yán)格控制純水的凈度,以保證光敏芯片的質(zhì)量可靠性。

(三)溫、濕度的影響

溫、濕度在IC的生產(chǎn)中扮演著相當(dāng)重要的角色,幾乎每個(gè)工序都與它們有密不可分的關(guān)系。利用化學(xué)溶劑來(lái)做刻蝕與清洗的工藝都在沒(méi)有溫度控制的設(shè)備箱內(nèi)完成,只依賴于超凈間溫度的控制。這種控制非常重要,因?yàn)榛瘜W(xué)反應(yīng)會(huì)隨溫度的變化而不同。相對(duì)濕度也是一個(gè)非常重要的工藝參數(shù),如果濕度過(guò)大,晶圓表面太潮濕,會(huì)影響聚合物的結(jié)合,如果濕度過(guò)低,晶圓表面就會(huì)產(chǎn)生靜電,這些靜電會(huì)從空氣中吸附微粒。在該型光電探測(cè)器的生產(chǎn)工藝中明確規(guī)定了對(duì)潔凈室溫、濕度的要求要按生產(chǎn)工藝要求來(lái)確定。

由于該型光電探測(cè)器的潔凈廠房為新建廠房,溫、濕度控制系統(tǒng)還在不斷調(diào)試中,因此在2006年夏季提交的幾個(gè)批次中,產(chǎn)品的光敏芯片出現(xiàn)了大量的色斑以及在殼體內(nèi)出現(xiàn)水霧,經(jīng)過(guò)分析確定為裝配現(xiàn)場(chǎng)濕度過(guò)大造成的,工序要求室內(nèi)濕度為80%,而實(shí)測(cè)濕度已達(dá)90%。后經(jīng)過(guò)控制室內(nèi)濕度,上述外觀缺陷率有了明顯的降低。

(四)靜電的影響

靜電可產(chǎn)生于晶圓、存儲(chǔ)盒、工作臺(tái)表面與設(shè)備上,它可從空氣和工作服中吸附塵埃。這些塵埃可污染到晶圓,而且靜電吸附的顆粒很難用標(biāo)準(zhǔn)的刷子或濕洗的方法去除。如果房間內(nèi)的靜電堆積較多,塵埃微粒很容易粘附在光敏面上以及殼體內(nèi),因此導(dǎo)致器件光敏面上有劃痕以及殼體內(nèi)有雜物。

四、原因分析

從2006年的7批產(chǎn)品外觀不合格排列圖可以看出,殼體內(nèi)雜物、入射窗口水霧和光敏芯片劃痕是影響該型光電探測(cè)器外觀質(zhì)量的主要因素。圍繞這三個(gè)方面,采用關(guān)聯(lián)圖進(jìn)行分析,尋找末端原因。

五、總結(jié)

綜上所述,環(huán)境諸多因素對(duì)光電產(chǎn)品的生產(chǎn)過(guò)程起著很重要的作用,這也是微電子行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)和生產(chǎn)裝配過(guò)程的固有特性所決定的。如果要提高產(chǎn)品的成品率、降低成本,必須盡量降低環(huán)境對(duì)產(chǎn)品生產(chǎn)的影響。當(dāng)然,人為因素也存在較大影響。因此,在控制環(huán)境因素的影響的同時(shí),還應(yīng)當(dāng)對(duì)操作人員進(jìn)行及時(shí)、有效、長(zhǎng)期的培訓(xùn),以提高操作人員的技術(shù)水平。同時(shí),還應(yīng)當(dāng)編制合理、有效的生產(chǎn)工藝文件,規(guī)范對(duì)生產(chǎn)、裝配環(huán)境以及人員操作程序。

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